三星正研发专门面向智能手机和平板电脑的高带宽内存（HBM），并计划通过复杂封装技术，将这些移动终端打造成强大的本地 AI 计算平台。目前 HBM 主要部署在服务器和数据中心领域，而三星希望借助这一高性能 DRAM 形态专业配资官网，进一步放大在 AI 浪潮下的利润空间，不错过任何潜在市场。
报道指出，此次目标是开发适配移动设备的 HBM 技术，在不显著增加空间占用和功耗负担的前提下，大幅提升算力与带宽，从而支撑更复杂的端侧 AI 推理任务。相较之下，现有移动 DRAM 仍以铜线键合为主，其 I/O 端子通常在 128 至 256 区间，受限的引脚规模在提升带宽、降低信号损耗和热量方面存在明显瓶颈。
为解决这一问题，三星计划在智能手机与平板中引入“超高纵横比铜柱”配合扇出型晶圆级封装（Fan-Out Wafer Level Packaging，FOWLP），这一封装方案此前已应用于 Exynos 2600 等系统级芯片，用以增强散热能力并提升持续负载下的性能表现。在此基础上，三星希望将服务器级别的 HBM 以更紧凑的形式移植到移动端，为本地 AI 模型提供更高的内存带宽与数据吞吐能力。
报道援引消息称，通过在垂直铜柱堆栈（Vertical Copper Post Stack，VCS）领域的进展，三星能够在有限空间内以“阶梯式”结构堆叠多层 DRAM 裸片，再利用铜柱填充其中的空隙，从而在体积受限的移动设备中实现多层 HBM 封装。与传统方案相比，三星已经将 VCS 封装中铜柱的纵横比从原来的 3–5:1 提升至 15–20:1，这一变化显著提高了整体带宽表现。
不过，这种高纵横比设计也带来了新的挑战：随着纵横比的提升，铜柱直径势必要缩小，一旦直径低于 10 微米，铜柱可能发生弯曲甚至断裂，影响结构可靠性。为此，FOWLP 在结构上通过将铜布线向外扩展，提供了额外的机械支撑，以提升整体封装的稳定性，同时也扩大了可用 I/O 端子数量，从而进一步提升带宽，报道估计带宽增幅可达约 30%。
目前尚不清楚三星为移动端开发的 HBM 会在何时正式商用，但从时间表推断，这一技术有望首批搭载在未来的 Exynos 2800 或 Exynos 2900 平台上。此前有传闻称，Exynos 2800 将使用三星自研 GPU，并不仅限于智能手机产品线，这使得高带宽、高吞吐存储子系统的重要性进一步提升。
除了三星，苹果也被曝计划在未来 iPhone 上采用 HBM，以改善端侧 AI 体验，但目前尚不清楚其是否会从三星采购相关技术或部件。华为方面同样在探索将 HBM 引入智能手机的可能，不过考虑到供应链和地缘政治等因素，业内认为三星进入中国厂商供应体系的可能性较低。
然而，在技术路线之外，成本问题仍是决定 HBM 能否大规模落地移动终端的一道关键门槛。报道指出，在当前存储器价格高企的环境下，智能手机厂商可能会更谨慎地评估在设备中加入 HBM 的经济可行性，更多选择观望，待价格回落后再做布局。
在这种情况下，未来数年内，提升智能手机和平板本地 AI 能力的主要手段或仍将集中在芯片算力和存储系统优化（例如更高性能的 LPDDR 或更快的存储接口），而非大规模采用成本更高的 HBM。不过，一旦内存市场供需恢复平衡、价格趋于稳定，以三星为代表的厂商有望借助移动端 HBM，将高带宽存储从数据中心延伸至个人终端，重新定义本地 AI 的体验上限。
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